液晶制造,Liquid Crystal Manufacturing
1)Liquid Crystal Manufacturing液晶制造
2)wafer fabrication晶圆制造
1.Scheduling of cluster tools inwafer fabrication晶圆制造自动化组合设备的调度问题研究
2.In semiconductor manufacturing,wafer fabrication is a key element,and its cost is affected by the performance of Wafer Fabrication Cluster Tool(WFCT) directly.晶圆制造是半导体制造过程中的一个重要环节,晶圆制造单元的性能直接影响晶圆制造的成本。
英文短句/例句
1.Modeling and Simulation of Single-arm Cluster Tool in Wafer Fabrication晶圆制造中单臂Cluster tool的建模与仿真
2.Modeling the Integrated Production Control System in Wafer Fabrication;多重入晶圆制造厂整合式生产控制系统建模
3.Petri Net-Based Modeling and Analysis for Semiconductor Wafer Fabrication System;基于Petri网的半导体晶圆制造系统建模与分析
4.A Virtual Dual-arm Cluster Tool in Wafer Fabrication虚拟晶圆制造双臂自动组合装置的实现
5.Study on Al Pad Contamination Sources During Wafer Fabrication,Shipping and Assembly晶圆制造、运输、封装过程中Al焊垫污染源的研究
6.Scheduling Algorithm for Cluster Tools of Wafer Fabrications Based on Events-Driven基于事件驱动的集束型晶圆制造设备调度算法
7.Virtual Cluster Tool in Wafer Fabrication Based on eM-Plant基于eM-Plant的虚拟晶圆制造自动组合装置
8.Research on the Order Distribution Problem of Multi-location Plants in Semiconductor Fabrication半导体晶圆制造多厂区订单分配问题研究
9.Scheduling of cluster tools in wafer fabrication晶圆制造自动化组合设备的调度问题研究
10.Due-Date Assignment for Wafer Fabrication Based on Constant Work-in-Process Release System采用CONWIP投料系统的晶圆制造交货期设置方法
11.The Application and Process Improvement of Photosensitive Polyimide in Wafer Fabrication;晶圆制造过程中光敏型聚酰亚胺的应用及制程改良
12.Decomposition Based Ant Colony Optimization Algorithm Applied to Semiconductor Wafer Fabrication System基于问题分解的蚁群算法在半导体晶圆制造调度中的应用
13.Modeling technology for semiconductor wafer fabrication system based on Agent-oriented knowledge colored timed Petri net基于多代理的知识有色赋时Petri网的晶圆制造系统建模方法
14.Dynamic Scheduling Optimization of Make-to-order Complex Wafer Manufacturing Systems;面向订单制造的晶圆复杂制造系统动态调度优化
15.Slip- A defect pattern of small ridges found on the surface of the wafer.划伤-晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。
16.Smudge- A defect or contamination found on the wafer caused by fingerprints.污迹-晶圆片上指纹造成的缺陷或污染。
17.bridging of insulator绝缘体的搭桥（圆网制造）
18.dowel milling and cross-cut machine圆棒榫制造和截断机
相关短句/例句
wafer fabrication晶圆制造
1.Scheduling of cluster tools inwafer fabrication晶圆制造自动化组合设备的调度问题研究
2.In semiconductor manufacturing,wafer fabrication is a key element,and its cost is affected by the performance of Wafer Fabrication Cluster Tool(WFCT) directly.晶圆制造是半导体制造过程中的一个重要环节,晶圆制造单元的性能直接影响晶圆制造的成本。
3)liquid crystal device control液晶控制
1.A graphicliquid crystal device controller taking FPGA chip (EPIC6Q240C8) as digital carrier and using VHDL language under the environment of Quartus is designed.以FPGA芯片EP1C6Q240C8为数字载体, 利用VHDL语言, 在Quartus环境中设计图形液晶控制器, 实验表明, 本设计完全满足对液晶模块的控制要求, 并成功应用于数字存储示波表中, 该设计还具有不需增加硬件资源、控制灵活可靠等特点;文中重点介绍了液晶控制器中控制模块的设计方法。
4)LC preparation液晶配制
5)chip-on-glass LCD芯片直接制造在玻璃上的液晶显示器
6)liquid crystal modulator液晶调制器
1.Employing aliquid crystal modulator and CCD camera, a phase sensitive images system has been investigated experimentally for various fluorescence lifetimes.利用液晶调制器和ＣＣＤ探头组成的荧光相位成像系统，实现了不同荧光寿命物体的荧光成像，时间分辨率达到了亚毫秒量级。
延伸阅读
解决暗场成像技术延伸晶圆检测大多数暗场检测系统的核心是声光偏转器（AOD）。当高频信号作用于它时，AOD展现某些特性，它可折射出激光束。如果此激光束折射地很快，结果就相当于在晶圆上画一激光扫描线。正是这条线可确定每次通过晶圆的检测高度，这和产量直接相关。传统的暗场结构很简单：主要是基于照明斑点和光电倍增管（PMT）传感器。如今，大多数传统的暗场检测系统可达到100M像素/秒。理论上，可达到300M像素/秒。但是，在暗场中，晶圆结构的散射可从一个像素中几个光子到下个像素中变成数百万个光子，当取样时间减少到>3nsec时，使支持高动态范围（>12比特）和单输出数字化系统的电子电路的研发变得越来越难。扩展激光光斑扫描的另一障碍是为提高检测灵敏度而减少光斑尺寸时，功率密度就增加了，也就增加了先进晶圆材料受损伤的危险性。另外，光斑扫描结构不能依比例缩小分辨率并同时保持光的傅立叶滤光。这点很重要，因为对先进SRAM和DRAM阵列，傅立叶滤光可使激光器光斑扫描系统的灵敏度增加10倍。KLA-Tencor公司研发了一种解决方案，避开了这些基本限制，即把难题从前端照明处转移到集光端。这简化了采用光学透镜沿晶圆跟踪线的要求。其新的Puma9000平台采用了专利结构，可在晶圆上形成一条长线并进行检测，同时，经过多个集光通道可产生双暗场平面。KLA-Tencor设计了一种新的线性传感器和结构，称之为“Streak”技术，它可使传统的暗场极限分别得到解决，能提供>500M像素/秒，以及≤65nm的线监测能力。对精密的运算规则有足够的计算能力，可从多个通道分析数据。同时，不会延长扫描时间和牺牲产量。以前，通常采用的是激光光斑和PMT，但PMT是一种光探测器，它并不意味着更高的分辨率。分辨率由照明光斑的尺寸决定。平台能控制照明光斑的尺寸，而且因它有一个与像素有关的传感器，在集光通道中也存在分辨率。成像技术结合照明线允许系统傅立叶滤波任何先进的阵列结构，得到10倍灵敏度的增加，同时增加了照明线上和成像集热器的分辨率。具有双暗场结构的照明和集光器的结合可在获得传统的暗场晶圆产量的前提下得到最好的缺陷灵敏度。典型的应用是在氮化硅剥离后在像STICMP这样的薄层上的空洞探测。空洞的大小可在200nm到20nm范围内。Puma对>50nm的空洞的产量已达>10wph，这对传统的暗场系统是做不到的。另一个例子是对在90nm到70nm设计规则下，某些遗漏的接触孔甚至部分被刻蚀的接触孔的探测，由于和接触层有关的噪声，至今为止，这方面的探测也成了检测系统面临的主要挑战。由于平台不再受AOD要求的限制，它可望将延伸好几代。作者：Alexander E. Braun，Semiconductor International高级编辑
