低温晶化,low temperature crystallization
1)low temperature crystallization低温晶化
1.We developed a new process forlow temperature crystallization of amorphous silicon films, by metal induced crystallization of amorphous silicon films at low temperature.介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。
英文短句/例句
1.Study on Microwave-Aided Crystallization Process of Titania Sol under Mild Temperature Condition微波对TiO_2溶胶低温晶化影响的研究
2.Effect of Crystallization Temperature on Physico-Chemical Properties of B-ZSM-5 and Ti-ZSM-5低温晶化温度对B-ZSM-5及Ti-ZSM-5物理化学性质的影响
3.Preparation of SiC Whiskers by Low-temperature Decomposition of Silicon Nitride氮化硅低温转化合成碳化硅晶须研究
4.Aluminum-induced Rapid Crystallization of Amorphous Silicon Films in an Electric Field at Low Temperature;铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化
5.Spinal and Spinel-zirconia Composite Material Prepared at Low Temperature by Al_(13) as Aluminium SourceAl_(13)低温合成尖晶石和尖晶石-氧化锆复合材料
6.Low Temperature Synthesis of TiC\TiN\TiCN Nanaocrystallites Via Chemical Metathesis Route;化学交换法低温合成TiC\TiN\TiCN纳米晶体
7.Experimental Study on Isolating Na_2S from Ackaline Wastewater by Low Temperature Crystallization低温结晶碱性硫化氢废水的实验研究
8.In this paper, the crystallization mechanism of synthesizing nanocrystal titanic in liquid media at low temperature is reviewed in detail.详细介绍了晶态纳米二氧化钛低温液相合成的晶化机制。
9.Structure Characterization of Mesoporous Titania Wiskers and Studies on the Mechanism of Low-temperature Synthesis;介孔氧化钛晶须结构表征及低温合成机理研究
10.Low Temperature Hydrothermal Synthesis of Octahedral Fe_3O_4 Submicrocrystals低温水热法制备八面体四氧化三铁亚微米晶
11.Fabrication of LTPS TFT with High Qualities and Design for Integration of Peripheral Drive Circuits;高品质低温多晶硅薄膜晶体管的制作与周边一体化设计
12.Study on Intergranular Dilution of Phosphorus at High Temperature and Low Compressive Stress and Intergranular Brittleness in Steel 2.25Cr1Mo;高温低压应力下2.25Cr1Mo钢中P的晶界贫化及晶界脆性研究
13.Study on phase transformation kinetic mechanism of nanocrystallization of Fe-based amorphous alloy treated by low frequency pulse magnetic field铁基非晶磁致低温纳米晶化的相变动力学机理研究
14.Synthesis of Multiphasic Titanium Dioxides at Low Temperature and Research of Their High Photocatalytic Activities;多晶相二氧化钛的低温制备及其高催化活性研究
15.Low Temperature Oxidation Behavior of MoSi_2 Composites Strengthened and Toughened by Si_3N_4 Particles and SiC WhiskersSi_3N_4颗粒及SiC晶须强韧化MoSi_2复合材料的低温氧化行为
16.Preparation of supported mixed-crystal titanium dioxide photocatalyst at low temperature and its photocatalytic activity负载型混晶相TiO_2光催化剂的低温制备及其光催化活性
17.The results indicate that there are some quasiliquid layers on plane (001) at some temperature below the melting points of the prefect crystals.结果表明，(001)面在低于其完整晶体的熔化温度出现预熔。
18.Research on the Low Temperature Sintering and Anisotropic Grain Growth of Alumina;氧化铝陶瓷的低温烧结和晶粒各向异性生长研究
相关短句/例句
nanocrystallization at low temperature低温纳米晶化
3)Lower temperature crystallization低温结晶
1.The Contents of EPA and DHA were enriched from fish oil by lower temperature crystallization.设计低温结晶法,从鱼油脂肪酸中富集EPA和DHA。
4)cryocrystal低温晶体
5)low temperature liquid crystal低温液晶
6)high-low inversion高低温型(晶体)转化
延伸阅读
低温多晶硅
低温多晶硅
低温多晶硅的全称是“low temperature poly-silicon（ltps，多晶硅又简称为p-si，下同）”，它是多晶硅技术的一个分支。对lcd显示器来说，采用多晶硅液晶材料有许多优点，如薄膜电路可以做得更薄更小、功耗更低等等。但在多晶硅技术发展的初期，为了将玻璃基板从非晶硅结构（a-si）转变为多晶硅结构，就必须借助一道激光退火（laser anneal）的高温氧化工序，此时玻璃基板的温度将超过摄氏1000度。众所周知，普通玻璃在此高温下就会软化熔融，根本无法正常使用，而只有石英玻璃才能够经受这样的高温处理。而石英玻璃不仅价格昂贵且尺寸都较小，无法作为显示器的面板，厂商很自然选择了廉价的非晶硅材料（a-si），这也是我们今天所见到的情形。不过，业界并没有因此放弃努力，发展低温多晶硅技术成为共识，在经过多年的努力之后，低温多晶硅终于逐步走入现实。与传统的高温多晶硅相比，低温多晶硅虽然也需要激光照射工序，但它采用的是准分子激光作为热源，激光经过透射系统后，会产生能量均匀分布的激光束并被投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构的玻璃基板吸收准分子激光的能量后，就会转变成为多晶硅结构。由于整个处理过程是在摄氏500-600度以下完成，普通的玻璃基板也可承受，这就大大降低了制造成本，将多晶硅技术引入lcd显示器领域也就完全可行。而除了制造成本降低外，低温多晶硅技术的优点还体现在以下几个方面。电子迁移速率更快电子迁移率以“cm2/v-sec”为单位，指的是每秒钟每伏特电压下电子的运动范围大小。传统的a-si非晶硅材料lcd，电子迁移率指标多数都在0.5cm2/v-sec以内，而p-si多晶硅面板的电子迁移率可达到200cm2/v-sec，整整是非晶硅材料的400倍之多。由于在该项指标上多晶硅材料占据绝对优势，使得多晶硅lcd的反应速度极快，体现在显示器产品中便是响应时间可以做到更短，更好满足大屏幕lcd的实用需求。薄膜电路面积更小我们知道，液晶材料通过控制光的通断来显示不同的画面，这样，每个液晶像素都必须有一个专门的tft薄膜电路。这个薄膜电路与液晶像素一一对应，且成为像素的一部分，由于电路本身并不透光，来自背光源的光线便会被它遮挡。薄膜电路占据的面积越大，能透过的光能就越少，体现在最终显示上就是液晶像素较暗。而如果薄膜电路占据的面积较小，透过的光线就较多，在背光源不变的情况下，液晶像素也可以拥有较高的输出亮度。lcd业界引入“开口率（aperture ratio）”指标来描述此种情况，开口率是指每个像素可透光的区域与像素总面积的比例。显然，薄膜电路占据的面积越小，可透光区域就越大，开口率越高，整体画面就越亮。传统a-si非晶硅材料在开口率方面的表现难如人意，原因就在于对应的薄膜电路体积较大，虽然许多厂商想尽办法提升该项指标，但收效甚微。而p-si多晶硅材料在这方面具有绝对的优势，用该技术制造的lcd面板，薄膜电路可以做得更小、更薄，电路本身的功耗也较低。更重要的是，较小的薄膜电路让多晶硅lcd拥有更高的开口率，在背光模块不变的情况下可拥有更出色的亮度及色彩输出。换个角度考虑，采用多晶硅材料也可以在确保亮度不变的前提下，有效降低背光源的功率，整机的功耗将因此大大降低，这对于笔记本lcd屏来说具有相当积极的意义。更高的分辨率越来越多的液晶厂商开始重视p-si多晶硅技术。如前所述，p-si多晶硅面板的薄膜电路尺寸极小，开口率比传统非晶硅面板高得多，对应的lcd面板要做到高分辨率不仅相对容易，且可以拥有更为出色的显示效果。
