雪崩击穿电压,avalanche breakdown voltage
1)avalanche breakdown voltage雪崩击穿电压
1.This article elaborates how to choose the right MOSFET according to the RDS(ON),thermal properties,avalanche breakdown voltage and switching performance indicators.讨论如何根据漏源导通电阻RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。
2)electron avalanche breakdown电子雪崩击穿
3)streamer breakdown雪崩电子流击穿
4)avalanche breakdown雪崩击穿
1.The simulation analysis indicates that with this structure theavalanche breakdown voltage of RF power transistors can be increased to be over 90% of that for an ideal parallel .模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 。
英文短句/例句
1.avalanche breakdown semiconductor laser雪崩击穿式半导体激光器
2.What was known as avalanche breakdown occurred.通常所谓的雪崩式击穿现象爆发了。
3.The snow sometimes slips, forming snowslides.雪有时会滑落，造成雪崩。
4.A snowslide may make an everlasting love story, but even the snowslide cannot ensure Eternity.除非有雪崩，但雪崩也不能保证永恒。
5.The Event will feature backcountry guided tours, a Nordic facility, a snowshoe testing area and an avalanche seminar, among other Events.这次活动的内容将包括向导穿越，越野装备，滑雪鞋测验场地和雪崩研讨会等各种活动。
6.avalanche transit time diode雪崩渡越时间二极管
7.stack-gate avalanche injection type MOS memory叠栅雪崩注入ＭＯＳ存储器
8.surface-controlled avalanche transistor可控表面雪崩晶体管
9.planar avalanche photodiode平面雪崩光电二极管
10.voltage controlled avalanche oscillator电压控制雪崩振荡器
11.The avalanche annihilated/wiped out the whole village雪崩毁灭了整个村庄。
12.floating gate avalanche injection type MOS memory浮栅雪崩注入 MOS存储器
13.avalanche diode integrated amplifier雪崩管集成功率放大器
14.gallium arsenide avalanche photodiode砷化镓雪崩光电二极管
15.avalanche diode integrated oscillator雪崩二极管集成振荡器
16.avalanche photodiode coupler雪崩光电二极管耦合器
17.semiconductor avalanche photodiode半导体雪崩光电二极管
18.Avalanches rushed down.崩坍的冰雪倾泻而下。
相关短句/例句
electron avalanche breakdown电子雪崩击穿
3)streamer breakdown雪崩电子流击穿
4)avalanche breakdown雪崩击穿
1.The simulation analysis indicates that with this structure theavalanche breakdown voltage of RF power transistors can be increased to be over 90% of that for an ideal parallel .模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 。
5)avalanche breakdown雪崩式击穿
6)breakdown voltage击穿电压;崩溃电压
延伸阅读
雪崩击穿（avalanchebreakdown）雪崩击穿（avalanchebreakdown）当反向偏压很大时，势垒区中的电场很强，因而通过势垒区的电子和空穴可以在电场作用下获得很大的动能，当能量足够大时，和晶格碰撞而使价带电子激发到导带，产生新的电子-空穴对，这种现象称为“碰撞电离”。新生的电子-空穴以及原有的电子和空穴，在电场作用下，又可重新获得足够的能量，再次和晶格碰撞而产生电子-空穴对。如此继续下去，载流子增加犹如“雪崩”的特性，称为载流子倍增效应。由于倍增效应，使反向电流迅速增加从而发生击穿，这就是雪崩击穿的机理。雪崩击穿除与势垒区中电场有关外，还与势垒区宽度有关。势垒区宽的易发生雪崩击穿。
