拐角效应,corner effect
1)corner effect拐角效应
1.Study on thecorner effect in new grooved-gate nMOSFET;新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究
puter simulation analysis of short-channel effects andcorner effectsfor deep sub-micron triple-gate FinFETs深亚微米三栅FinFET短沟道效应和拐角效应计算机模拟分析
3.From the analysis of the field,we find that due to thecorner effect,the performance of groove-gate MOSFETs is better than that of the planar.采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因。
英文短句/例句
puter simulation analysis of short-channel effects and corner effectsfor deep sub-micron triple-gate FinFETs深亚微米三栅FinFET短沟道效应和拐角效应计算机模拟分析
2.Corner Effect of FRP Confined Concrete Rectangular Columns Analysis & Experiment Research;纤维布约束混凝土矩形柱的拐角效应分析及试验研究
3.Turn the second corner to the left .在第二个拐角处向左拐。
4.Turn the first corner to the right .在第一个拐角处向右拐。
5.around the bushph.1. 拐弯抹角
6.Double corner curb. Corner radius can be specified.双拐角路缘。可指定拐角的半径。
7.Single corner curb. Corner radius can be specified.单拐角路缘。可指定拐角的半径。
8.Tourist Destination Life Cycle Early Warning System Research Based on "Inflection Point" Theory基于拐点理论的旅游地生命周期预警效应分析
9.Well, turn to the left at the first corner after the crossroads.噢，过十字路口后在第一个拐角向左拐。
10.About three hundred yards farther on there is a turning to the left.再往前大约300码有一个向左拐的拐角。
11.Application and comparison of calculation of two turbulence models on flow field of wind tunnel corner两种湍流模型在风洞拐角流场计算中的应用及比较
12.It"s over there. Just around the corner.就在那边的拐角处。
13.The Building stands at the corner.那座大楼位于拐角处
14.The car nosed carefully round the corner.汽车缓慢地拐过街角.
15.At a corner of Sixth Avenue在第六大道的拐角处，
16.It"s on the corner opposite the post office.它在邮局对面的拐角。
17.next to the corner cupboard.将放在拐角柜旁边。
18.Hook it! The policeman is approaching the corner of the street快跑!警察快到街拐角了。
相关短句/例句
knee effect拐点效应
3)corner[英]["k?:n?(r)][美]["k?rn?]拐角
1.On the basis of residual areas after rough machining,a tool path generation algorithm for residual material fine machining at thecorners of pocket boundary was developed and implemented in consideration of even radial cutting depth and smooth tool path.在识别粗加工余料区域的基础上,从均匀径向切削深度、平滑刀轨路径等方面考虑,研究并实现了型腔边界拐角处的精加工刀轨生成算法。
2.Sharp turningcorners of the tool path are rounded, and the transition from a tool path track to the neighboring one is fulfiled through smooth curves.在常规的环切刀轨生成算法基础上 ,设计了型腔高速铣削加工刀轨生成算法 对刀轨的拐角进行了平滑处理 ,实现了相邻刀轨环之间的光滑曲线过渡 ,避免了刀具运动方向的急剧变化 ,可使切削性能得到改
3.General linear and nonlinear smoothing in an intensity image can blurcorners seriously, so it s difficult to detectcorners by a multi scale approach.对灰度图进行一般线性和非线性平滑会极大程度地模糊拐角 ,使得多尺度方法难以用于拐角检测 。
4)corner[英]["k?:n?(r)][美]["k?rn?]拐角，角落
5)acute angle effect尖角效应
1.The results show the stress concentration caused byacute angle effect and the high temperature are the primary cause of producing crack.结果表明,尖角效应引起的应力集中和热处理淬火加热温度偏高是导轨端面产生裂纹的主要原因。
6)obliquity effect倾角效应
1.Study onobliquity effect of aluminium alloy plates against bullet;铝合金板抗枪弹倾角效应试验研究
2.In this paper theobliquity effect and theobliquity effect figure are defined,then theobliquity effect figures are classified.该文给出了倾角效应和倾角效应图的定义，并对倾角效应图进行了分类。
延伸阅读
沟道效应和阻塞效应一束准直带电粒子同单晶相互作用，往往表现出强烈的方向效应，当入射方向接近某一主晶轴或主晶面时，核反应、内壳X 射线激发和大角度卢瑟福散射等（统称近距相互作用）产额大大减少，粒子射程明显增加，这就是沟道效应。阻塞效应是以晶体点阵位置作为发射点，某方向出射的带电粒子几率强烈地依赖于出射方向同晶轴的夹角的效应。理论 1965年，丹麦物理学家J.K.林哈特对沟道效应作了全面的理论解释。他把晶轴看成一根连续均匀分布的带电体，并用一个连续势描写。当带电粒子入射方向同晶轴的夹角小于某一临界角嗞c时(图1),由于轴上原子同入射粒子发生一系列"温和"的碰撞，对入射粒子产生一种导向作用，使粒子沿晶轴方向振荡前进；当入射方向夹角大于嗞c时，入射粒子同晶体相互作用与粒子同无定形材料作用一样。嗞c的表达式如下：其中C 是常数,嗞1是林哈特特征角,Z1、Z2 分别代表入射粒子和晶体原子的原子序数, d 为晶轴方向的点阵原子间距，E 为入射粒子能量，e 为电子电荷，屏蔽距离,ao是玻尔半径。夹角小于 嗞c 的入射粒子因受库仑排斥势作用不能进入图1打斜线的区域,可称该区为禁戒区,空白区为沟道区。只要点阵原子位移小于a,或杂质原子处于禁戒区,沟道入射粒子就不能同它发生近距相互作用。阻塞效应包含两类物理过程，点阵原子核衰变而发射带电粒子的过程和晶体中核反应或大角度卢瑟福散射等引起的带电粒子出射的过程。由于第二类过程的碰撞参量比原子热振动振幅要小几个数量级，可以把上述两类过程等同处理。若不考虑粒子慢化过程，阻塞效应与相同能量的粒子、相同的晶体和晶轴方向的沟道效应完全等同,相互是倒易关系。同样也存在临界角嗞c，出射带电粒子的方向与某主晶轴或晶面夹角大于嗞c时，粒子出射如同从无定形材料中出射一样。若出射角小于嗞c时，由于晶轴原子带电粒子强烈排斥，很快地使出射角大于嗞c。如果用一个探测器测量出射粒子时就会发现，在嗞c范围内出射粒子的几率大大减少。一般讲，阻塞效应不一定要求入射束是带电粒子，也不需要严格的准直。但对决定核反冲方向的实验（如核能级寿命测量）则必须考虑准直。应用 沟道效应的特性为晶体杂质定位和点阵损伤分布测量提供了有力的工具。由图2可知，<01>方向入射粒子能"看到"标号为"×"、"□"的原子；<11>方向入射的只能"看到""×"的原子；而随机方向入射的则可"看到"所有的原子。这样就可以从"×"不同入射方向所引起的近距相互作用产额比知道"·"原子处于替位，"×"和"□"原子处于隙位（对基质原子来说"×"和"□"为位移原子）。所以，沟道效应定位法是最直观的几何定位法。当然，这仅是一种示意的解释，在具体工作中，必须考虑下列因素。① 要挑选一个最合适的近距相互作用,既能明显区分基质和杂质的贡献，又要尽量减少分析束本身带来的影响。一般大角度卢瑟福散射适用于轻基质中重杂质的研究；核反应适用于重基质中轻杂质的研究；而带电粒子导致X 射线发射可用于中等原子序数杂质的研究。② 要考虑退道的影响。沿沟道方向入射的粒子由于一系列前向小角散射，其运动方向能偏离原来方向。当同晶轴的夹角超过嗞c时,称之为"退道"。晶体表面第一层原子，表面无定形层、点阵热振动、点阵缺陷和位移原子等都会使退道加剧。这就要借助于各种退道模型估计退道对产额的贡献。③ 要考虑通量呈峰效应:前面讨论中是认为沟道空间中粒子的通量是均匀分布的。从蒙特－卡罗法计算,或从连续势近似计算可知理想晶体沟道区中入射粒子通量分布并非均匀，往往在沟道区中心通量密度达极大，这就是所谓通量呈峰效应。原则上讲，通量呈峰效应为区分位置仅差0.1～0.2┱的杂质原子分布提供了可能性。金属中氢、氦离子往往处于各种隙位，它们位置分布情况是反应堆物理中受重视的问题，通量呈峰效应为它提供了一种可能的研究途径。目前，沟道效应还大量应用于固体表面研究。例如外延生长,退火性能,损伤吸收，表面合金化和抗腐、耐磨等方面。阻塞效应从发现起就被用于测量复合核寿命和激发态寿命等，若核反应形成一个复合核，从晶体点阵位置反冲出来,反冲速度v一般在108～109cm/s。如果复合核的平均寿命为 τ，衰变时发射带电粒子，类似于沟道效应，把空间分为阻塞区和非阻塞区。只要 τ·<0.1┱（其中是垂直于晶轴的速度分量）将发生强烈的阻塞。τ·>0.1┱，则阻塞现象就减少。把瞬发事件(如弹性散射等)作为τ·≈0。比较两者的角分布就可得到复合核寿命，一般可测到10-16～10-18s数量级的寿命。这正是核物理重要的寿命区，而用其他方法是难以测到的。目前已证实从正负电子到重离子;keV能区至相对论能区都存在沟道效应和阻塞效应。相对论能区的π±介子和质子的沟道效应是沟道技术的新发展，这时必须考虑相对论效应和量子效应。只要用相对论质量和速度取代原来的质量和速度，仍考虑整个原子键的作用，则林哈特经典处理方法仍然适用，当然临界角非常小，实验上要求用一块高质量晶体和一套位置灵敏气体漂移计数装置进行测量。这方面的进展不但发展了沟道效应，而且可以作为高能物理中的正负粒子鉴别器，测量基本粒子寿命并提供负粒子阻止本领的数据。电子通过沟道时，在周期场的作用下还会发射沟道辐射。
