北航Nature-全反铁磁隧道结的室温磁电阻效应 | 存储芯片
反铁磁自旋电子学Antiferromagnetic spintronics是凝聚态物理和信息技术中快速发展的研究领域之一，在高密度和超快信息器件中，极具潜在的应用。然而，这些器件的实际应用，在很大程度上受限于室温时较小的电输出。
今日，北京航空航天大学材料科学与工程学院Peixin Qin，Han Yan，Xiaoning Wang，Hongyu Chen，Ziang Meng，蒋成保Chengbao Jiang，刘知琪Zhiqi Liu等，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所曾中明Zhongming Zeng，华中科技大学物理学院张佳Jia Zhang等，在Nature上发文，报道了共线反铁磁体MnPt和非共线反铁磁体Mn3Pt之间的室温交换偏置效应，类似于铁磁-反铁磁交换偏置系统。
基于这种奇异效应，构建具有较大的非易失性室温磁电阻值的全反铁磁隧道结，其最大值达到约100%。原子自旋动力学模拟表明，MnPt界面上未补偿的局域自旋产生了交换偏置。第一性原理计算表明，显著的隧穿磁电阻源于Mn3Pt在动量空间的自旋极化。全反铁磁隧道结器件具有几乎消失的杂散场和高达太赫兹水平的强烈增强自旋动力学，对于下一代高度集成和超快存储器件。是至关重要的。
图1：全反铁磁隧道结all-antiferromagnetic tunnel junction，AATJ示意图。
图2：共线反铁磁体和非共线反铁磁体之间的交换耦合。
图3：在室温运行的全反铁磁隧道结AATJ器件。
图4：全反铁磁隧道结AATJ的隧道磁电阻tunnelling magnetoresistance，TMR理论计算。
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本文译自Nature。
【我国科研人员突破磁存储材料新技术可提升信息存储速度和密度】在信息爆炸的时代，信息存储尤为关键。近期我国科研人员突破了原子级平整反铁磁金属单晶薄膜的关键制备技术，使超快速响应超高密度反铁磁随机存取存储器的研制成为可能，有望大幅提升手机、计算机等信息产品运行速度。该研究由北京航空航天大学材料学院磁性功能材料研究团队、华中科技大学物理学院、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所加工平台合作完成，相关成果19日在国际学术期刊《自然》杂志上发表。
北京航空航天大学再次传来一个喜讯！
该校材料科学与工程学院磁性功能材料研究团队的刘知琦教授、蒋成保教授等在磁存储材料方面取得了很大的进展，然后相关的科研成果已经在近日发表在国际最顶级的期刊之一的《Nature》上了！
北航是一所小而精的顶级高校，其人均科研经费在国内是数一数二的，其军工是顶级的，然后理工科也是非常优秀，让人意外的是其经管也是非常不错的！
在第五轮学科评估中该校7个学科拿到了A+评级！
恭喜北京航空航天大学！
