苦苦努力，却发不了高水平SCI ？多年科研，却发不了顶刊 ？当计算已成为顶刊标配，也许你离顶刊就只差一个DFT计算！华算科技全职海外高层次人才技术团队，倾心打造VASP专题培训，专注晶体缺陷/表面性质计算！本次课程讲师，由华算科技技术部朱老师担任。朱老师是深圳市海外高层次人才，以独立第一作者发表高质量SCI论文30篇，有VASP使用经验，讲授同类培训课程50+场。3天线上直播实操课+永久录播，只需1680元，还配套价值699元的10h计算量子化学入门必备线上课程，且！限时减免300元！
你离顶刊只差一个DFT，只差2顿海底捞！
为什么学习第一性原理计算？科研必备技能，DFT已成顶刊必备！第一性原理计算是一种强有力的材料研究手段，能够获得材料基本的物理化学性质，比如原子磁矩、电荷转移、离子扩散能垒、化学反应中间态结构等，适用于晶体缺陷、表面吸附、二维材料、电池、催化、氢能源等研究领域。随着计算工具的发展，第一性原理计算已经不再专属于理论研究人员，而是一种低门槛、深受广大实验人员欢迎的科研工具。为什么选择VASP？顶刊神器，为何不爱？目前第一性原理计算软件分为免费和收费两大阵营。免费软件受制于团队、资金、维护等因素，导致计算结果的精确度不及收费软件。收费软件中VASP是一款适用范围非常广范（周期性和非周期性体系，例如，晶体、分子），计算精度高（得益于它的赝势和算法），价格最低的软件。作为顶级DFT理论计算软件，VASP功能异常强大、命令简单易上手，对科研人员极其友好，必须是计算入门学习首选！仅仅是，VASP相关SCI文章就超过了1W篇，已成为发顶刊神器。晶体缺陷、表面性质计算有多重要？从科学的角度看，从顶刊的角度来看……
实际晶体并非完美无缺，虽然晶体中缺陷的浓度比较低，但对导电（n型、p型）、发光（施主受主对跃迁）等性质有着重要影响，主要取决于缺陷的分布、形成能、电荷态、扩散能垒、态密度等性质。
另一方面，晶体（包括二维材料）表面性质决定了材料的吸附性能、催化性能等，具体包括表面重构、异质结构构型、电荷转移、吸附能、反应活化能等。VASP能够计算这些重要且很难通过实验手段获得的物理化学性质。
三天实操培训，搞定DFT计算做计算、学计算、找华算
华算科技是一家专业从事材料模拟计算服务的公司，是唯一拥有VASP商业版版权和全职技术团队的正规理论计算服务公司。
每一期都会建立课程微信群，培训前发放培训资料和指导学员安装相关软件，培训期间学员可向讲师提问并能够获得及时的答复，培训结束后讲师仍会回复学员的提问并有特定工作人员维护课程群。课程结束后华算科技将长期提供免费计算资源供学员复习课程内容。担任本次课程的讲师（技术部，朱老师）具有VASP使用经验，共发表第一作者论文（没有共一）30篇，同济大学本科、直接攻博（4年）、海外知名高校三年以上博后经历、深圳市海外高层次人才，主要从事晶体缺陷、二维材料、电池等方面研究工作，讲授同类培训课程超过20次。
第一天课程安排
第一性原理计算、密度泛函理论第一性原理计算概念，应用范围（结构性质、电子性质、力学性质、光学性质、磁学性质）波恩-奥本海默近似、Khon-Sham 方程、交换关联势
Linux 命令、VASP运行流程
Linux Shell脚本、for循环语句、if判断语句
VASP波函数基组、自洽循环流程图、赝势
晶体缺陷结构性质计算专题
文献案例介绍，基本概念讲解（缺陷模型、电荷态、形成能、转变能级、原子化学势、电子化学势、费米能级、电荷补偿效应、缺陷调控、缺陷扩散、虚频消除）
晶体缺陷结构性质计算专题
完整晶体模型构建与分析、结构优化计算
原子化学势边界计算与分析
空位模型构建与分析、电荷态设置、结构优化计算
晶体缺陷结构性质计算专题
不同间隙位缺陷模型构建与分析、电荷态设置、稳定性分析
根据缺陷空位、间隙位缺陷形成能计算与分析
Gnuplot绘制间空位、隙位形成能图、获取热力学转变能级
晶体缺陷结构性质计算专题
空位、间隙位扩散路径上初态和末态模型构建、结构优化计算
空位、间隙位初始扩散路径设置与调整、扩散能垒计算与分析、优化后扩散路径绘制
第二天课程安排
晶体缺陷结构性质计算专题
空位、间隙位扩散路径上过渡态振动频率计算与分析
虚频消除方法介绍与应用
晶体缺陷电子性质计算专题
文献案例介绍、基本概念讲解（n型缺陷、p型缺陷）
完整晶体，含空位、间隙位晶体电荷密度分布比较与分析（三维、二维电荷密度图）
空位、间隙位对晶体电子态密度影响、缺陷电子态的空间分布计算与分析
晶体表面结构性质计算专题
文献案例介绍、基本概念讲解（slab模型、晶体切表面工具、二维材料、表面能、功函数、表面钝化、表面功能化、异质结构）
晶体表面结构性质计算专题
金属表面模型构建、结构优化、功函数计算与分析
二维材料模型构建、结构优化计算
二维材料表面功能化形成能计算与分析
异质结构模型构建、结构优化计算
晶体表面电子性质计算专题
文献案例介绍、基本概念讲解（结合能、差分电荷密度、晶体轨道哈密顿布局数（COHP））
晶体表面电子性质计算专题
表面功能化后二维材料能带结构、功能基团与二维材料之间COHP计算与分析
异质结构层间结合能、差分电荷密度计算与分析
第三天课程安排
晶体表面吸附性质计算专题
文献案例介绍、基本概念讲解（吸附位点、分子空间构型、吸附能）
金属表面、二维材料吸附分子模型构建、结构优化、吸附能、能带结构计算与分析
晶体表面催化性质计算专题
文献案例介绍、基本概念讲解（吉布斯自由能、析氢反应）
金属表面、掺杂二维材料析氢反应自由能计算与分析
电池材料离子嵌入计算专题
文献案例介绍、基本概念讲解（电池基本结构、电化学反应类型）
电池材料离子嵌入计算专题
三维、二维电极材料离子嵌入模型构建、形成能计算与分析
电池材料离子扩散计算专题
文献案例介绍，三维、二维电极材料离子扩散路径初末状态、初始扩散路径设置、扩散能垒计算与分析
非晶体系计算专题
分子动力学模拟应用介绍、非晶结构模型构建计算流程（液化、淬火、恒温过程）、参数设置、结果分析
析晶过程计算流程（恒温过程）、参数设置、结果分析报名方式超级性价比，玩转DFT计算价格：1680元，赠送价值699元计算宝典：《计算量子化学入门必备线上课程》
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