增量式光电编码器,incremental photoelectric encoder
1)incremental photoelectric encoder增量式光电编码器
1.Then the detailed hardware designs and lectotype are given,which in-cludes sensing unit,incremental photoelectric encoder and its direction-detecting-and-counting circuit,and MCU,and the dis-play circuit.首先介绍了该装置的需求,然后给出了具体硬件电路的选型与设计,主要包括传感部件增量式光电编码器及其鉴向计数电路、单片机与显示电路,最后给出了主程序和关键中断服务程序的流程图。
2.The design implements subdivision, differentiation direction,rotary displacement measurement ofincremental photoelectric encoder signal,and provides an easy data interface way.用数字信号处理器(DSP)和现场可编程逻辑门阵列(FPGA),设计光电编码器解码电路,实现增量式光电编码器信号的细分、辨向、角位移测量和方便的数据输出接口。
英文短句/例句
1.This paper studies the application of incremental opticalelectrical encoder(IOE)to the bent tube measuring machine.研究增量式光电编码器在弯管测量机上的应用。
2.A High Accuracy Interface Circuit Design for Incremental Photoelectric Encoder高可靠性增量式光电编码器接口电路设计
3.Incremental Photoelectric Rotary Encoder and Application in the Measuring of Angular Deceleration;增量式光电旋转编码器及在角减速度测量中的应用
4.An Absolute Optoelectronic Coding Angular Encoderbased on the a Track;基于单码道绝对位置编码的光电式轴角编码器
5.An Optoelectronic Angular Encoder Based on Double Track Absolute Encoding基于双码道绝对位置编码的光电式轴角编码器
6.Research of Virtual Absolute Rotary Encoder Using M-code;准绝对式M码光电轴角编码器的研究
7.Coding modes of photoelectric shaft encoders and their developing trend光电轴角编码器的编码方式及其发展趋势
8.Photoelectrical encoder system based on CPLD基于CPLD的光电编码器测量系统
9.The Study of 24-bits Absolute Photoelectric Rotary Encoders;24位绝对式光电轴角编码器的研究
10.Control of a PMSG Based on Incremental Encoder in Direct-drive Wind Power System基于增量式旋转编码器的永磁风力发电机控制研究
11.A Finding-Zero Algorithm and Realization Based on Incremental Encoder with Distance-Coded Reference Marks一种带有距离编码的增量式编码器的找零算法及实现
12.Deburring Algorithm Based on Principle Analysis of Incremental Encoder基于增量式编码器原理分析的去毛刺算法实现
13.brush (contact) encoder电刷(接触式)编码器
14.Measurement of Encoder Photoelectric Signal Parameters and Evaluation of Interpolation Errors;编码器光电信号参数测量及细分误差评估
15.Research on the Single-ring Absolute Photoelectric Shaft Encoder;单圈绝对式光电轴角编码器原理的研究
16.Study of Absolute Photoelectricity Rotary Encoder Based on Electrical Interpolation Device;基于高插补系数的绝对式光电轴角编码器研究
17.The Study of Belt Conveyor Transverse Failure Inspection Based on Optical Encoder;基于光电编码器带式输送机断带的检测研究
18.Design for spaceborne absolute photoelectric encoder of dual numerical system双读数系统的航天级绝对式光电编码器设计
相关短句/例句
incremental optical electric axial angle encoder增量式光电轴角编码器
3)Incremental Photoelectric Rotary Encoder增量式光电旋转编码器
1.Incremental Photoelectric Rotary Encoder and Application in the Measuring of Angular Deceleration;增量式光电旋转编码器及在角减速度测量中的应用
4)Dual phase increment photoelectric encoderAB相增量式光电编码器
5)incremental photoelectrical coded disk增量式光电编码盘
1.A method of rotor position detection and incipient position location usingincremental photoelectrical coded disks was introduced.在简述矢量控制原理的基础上,通过分析现有转子位置检测手段的不足,提出使用增量式光电编码盘实施永磁同步转子位置检测及转子位置的初始定位方法。
6)Pulse modulation/?Incremental optical electrical codler脉冲调制/增量式光电编码器
延伸阅读
光电式传感器基于光电效应的传感器。光电式传感器在受到可见光照射后即产生光电效应，将光信号转换成电信号输出。它除能测量光强之外，还能利用光线的透射、遮挡、反射、干涉等测量多种物理量，如尺寸、位移、速度、温度等，因而是一种应用极广泛的重要敏感器件。光电测量时不与被测对象直接接触,光束的质量又近似为零,在测量中不存在摩擦和对被测对象几乎不施加压力。因此在许多应用场合，光电式传感器比其他传感器有明显的优越性。其缺点是在某些应用方面，光学器件和电子器件价格较贵，并且对测量的环境条件要求较高。光电效应 它是光照射到某些物质上，使该物质的电特性发生变化的一种物理现象，可分为外光电效应和内光电效应两类。外光电效应是指，在光线作用下物体内的电子逸出物体表面向外发射的物理现象。光子是以量子化"粒子"的形式对可见光波段内电磁波的描述。光子具有能量hv，h为普朗克常数，v为光频。光子通量则相应于光强。外光电效应由爱因斯坦光电效应方程描述： 式中 m为电子质量，v0为电子逸出速度。当光子能量等于或大于逸出功时才能产生外光电效应。因此每一种物体都有一个对应于光电效应的光频阈值，称为红限频率。对于红限频率以上的入射光，外生光电流与光强成正比。内光电效应又分为光电导效应和光生伏打效应两类。光电导效应是指，半导体材料在光照下禁带中的电子受到能量不低于禁带宽度的光子的激发而跃迁到导带，从而增加电导率的现象。能量对应于禁带宽度的光子的波长称光电导效应的临界波长。光生伏打效应是指光线作用能使半导体材料产生一定方向电动势的现象。光生伏打效应又可分为势垒效应（结光电效应）和侧向光电效应。势垒效应的机理是在金属和半导体的接触区(或在PN结)中，电子受光子的激发脱离势垒（或禁带）的束缚而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下电子移向 N区外侧，空穴移向 P区外侧，形成光生电动势。侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时，受光激发而产生的电子空穴对的浓度也不均匀，电子向未被照射部分扩散，引起光照部分带正电、未被光照部分带负电的一种现象。分类 基于外光电效应的光电敏感器件有光电管和光电倍增管。基于光电导效应的有光敏电阻。基于势垒效应的有光电二极管和光电三极管(见半导体光敏元件)。基于侧向光电效应的有反转光敏二极管。光电式传感器还可按信号形式分为模拟式光电传感器(见位移传感器)和数字式光电传感器（见转速传感器、光栅式传感器、数字式传感器）。光电式传感器还有光纤传感器、固体图像传感器等。发展状况 1839年A.E.贝可勒尔发现当光线落在浸没于电介液中的两个金属电极上，它们之间就产生电势，后来称这种现象为光生伏打效应。1873年W.史密斯和Ch.梅伊发现硒的光电导效应。1887年H.R.赫兹发现外光电效应。基于外光电效应的光电管和光电倍增管属真空电子管或离子管器件，曾在50～60年代广泛应用，直到目前仍在某些场合继续使用。虽然早在19T.W.凯斯就已取得硫化铊光导探测器的专利权，但半导体光敏元件却是在60年代以后随着半导体技术的发展而开始迅速发展的。在此期间各种光电材料都得到了全面的研究和广泛的应用。它们的结构有单晶和多晶薄膜的，也有非晶的，它们的成分有元素半导体的和化合物半导体的，也有多元混晶的。其中最重要的两种是硅和碲镉汞。硅的原料丰富,工艺成熟,是制造从近红外到紫外波段光电器件的优良材料。碲镉汞是碲化汞和碲化镉的混晶，是优良的红外光敏材料。通过对光电效应和器件原理的研究已发展了多种光电器件（如光敏电阻、光电二极管、光电三极管、场效应光电管、雪崩光电二极管、电荷耦合器件等），适用于不同的场合。光电式传感器的制造工艺也随薄膜工艺、平面工艺和大规模集成电路技术的发展而达到很高的水平，并使产品的成本大为降低。被称为新一代摄像器件的聚焦平面集成光敏阵列正在取代传统的扫描摄像系统。光电式传感器的最新发展方向是采用有机化学汽相沉积、分子束外延、单分子膜生长等新技术和异质结等新工艺。光电式传感器的应用领域已扩大到纺织、造纸、印刷、医疗、环境保护等领域。在红外探测、辐射测量、光纤通信，自动控制等传统应用领域的研究也有新发展。例如，硅光电二极管自校准技术的提出为光辐射的绝对测量提供了一种很有前途的新方法。参考书目齐丕智等编著：《光敏器件及其应用》，科学出版社，北京，1987。袁希光主编：《传感器技术手册》，国防工业出版社，北京，1986。
