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铁磁半导体 ferromagnetic semiconductor英语短句 例句大全

时间:2021-10-20 08:40:37

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铁磁半导体 ferromagnetic semiconductor英语短句 例句大全

铁磁半导体,ferromagnetic semiconductor

1)ferromagnetic semiconductor铁磁半导体

1.In this year it consists of (1)magnetic shape memory functionac material;(2)high behaviour Nd-Fe-B permanent magnetic material;(3)improvement of Si steel sheet;(4) special magnetism of rare-earth-transtion metal compound;(5)magnetic propert offerromagnetic semiconductor.本年的介绍内容包含 :(1)磁形状记忆智能材料 ;(2 )高性能的Nd Fe B永磁材料 ;(3)Si钢片磁性的改进 ;(4 )稀土过渡金属化合物的特殊磁性 ;(5 )铁磁半导体的磁

英文短句/例句

1.The Theoretical Research about Magnetoresistance in the Double Ferromagnetic Semiconductor Junction;双铁磁半导体结中磁电阻的理论研究

2.Spin-polarized transport in ferromagnetic semiconductor/d wave superconductor tunnel junctions铁磁半导体/d波超导结的自旋极化输运

3.Electronic Structure and Magnetism of Ge-based and HfO_2-based Ferromagnetic Semiconductors锗基与二氧化铪基铁磁半导体的电子结构和磁性研究

4.Synthesis and magnetic,optical properties of Co doped ZnO room-temperature ferromagnetic semiconductorCo掺杂的ZnO室温铁磁半导体材料制备与磁性和光学特性研究

5.Study of Room Temperature Ferromagnetism in Fe-doped ZnO Diluted Magnetic SemiconductorsFe掺杂ZnO稀磁半导体室温铁磁性研究

6.Can we make semiconductors that are ferromagnetic at room temperature?是否能制造出室温下的铁磁性半导体?

7.First-principles Study of SnO_2-based Ferromagnetic SemiconductorsSnO_2基铁磁性半导体的第一性原理研究

8.Numerical Study of Ferromagnetism in Ⅲ-Ⅴ Diluted Magnetic Semiconductor;基于Ⅲ-Ⅴ稀磁半导体铁磁性能的数值计算

9.Electronic Structure and Magnetism of Oxide-based Ferromagnetic Semiconductors;氧化物铁磁性半导体的电子结构和磁性研究

10.Properties of spin transport of double quantum rings with structures of ferromagnet/semiconductor/ferromagnet铁磁/半导体/铁磁结构的双量子环自旋输运的特性

11.Giant Magnetoresistance Effect in Hybrid Ferromagnetic-Schottky-metal and Semiconductor Nanostructures铁磁体—肖特基金属体—半导体复合纳米结构的巨磁阻效应

12.Effect of Electric Field on Spin Polarized Current in Ferromagnetic/Organic Semiconductor Systems;电场下铁磁/有机半导体中的自旋电流的研究

13.Synthesis and Analyses of ZnFeO Diluted Magnetic Semiconductor;氧化锌掺铁稀磁半导体的制备和性质研究

14.Electrical Transport Properties of Oxide-based Ferromagnetic Semiconductor氧化物铁磁性半导体电子输运特性的研究

15.Effect of Interface Spin-Flip Scattering on Spin Injection in a Finite Ferromagnetic/Nonmagnetic-semiconductor/Ferromagnetic Junction界面自旋翻转对有限尺寸的铁磁体/非磁性半导体/铁磁体体系自旋注入的影响(英文)

16.Study on the Structure and Room Temperature Ferromagnetism of Fe and Cu Co-Doped In_2O_3 Dilute Magnetic Semiconductor;Fe、Cu共掺杂In_2O_3稀释磁性半导体的结构和室温铁磁性研究

17.Preparations and Room Temperature Ferromagnetism of Fe and Ni Co-Doped In_2O_3 Dilute Magnetic SemiconductorFe、Ni共掺In_2O_3基稀磁半导体制备工艺及室温铁磁性研究

18.Preparation and Physical Properties of Iron-Doped Indium Oxide Ferromagnetic Semiconductors铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长及性能研究

相关短句/例句

ferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic heterojunction铁磁/半导体/铁磁异质结

1.Spin-tunneling time and transport in aferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic heterojunction with a δ tunnel barrier;含δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中的自旋输运和渡越时间

2.The paper elaborates on the characteristics of the transmission coefficient and the shot noise of aferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic heterojunction with double δ tunnel barrier in the existing external magnetic field.研究了外磁场存在时,含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和散粒噪声,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应。

3)ferromagnet/semiconductor structure铁磁体/半导体结构

4)ferromagnet/semiconductor heterostructure铁磁/半导体异质结

5)room temperature ferromagnetic semiconductor室温铁磁性半导体

1.The microstructure of theroom temperature ferromagnetic semiconductor Zn_(1-x)Co_x- O_(1-δ) was investigated by analytical electron microscopy.利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn_(1-x)Co_xO_(1-δ)进行了微观表征。

6)semimagnetic semiconductor半磁半导体

1.A new class of magneto-optical switch effect, which does not require to change the direction of the magentic field applied to the sample, was realized in thesemimagnetic semiconductor Cd_(1-x)Mn_xTe.在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。

2.We also call it Semimagnetic Semiconductor (DMS).在非磁半导体中掺入微量的磁性原子会改变半导体的某些性质,使其呈现出一定的磁性,从而形成稀磁半导体,也称作半磁半导体(DMS)。

延伸阅读

半磁半导体半磁半导体semimagnetic semiconductor半磁半导体semim眼netie semieonduetor一类新型半导体材料。又称稀磁半导体。通常为A卜二M,B型合金,由组分为普通半导体化合物AB和组分为磁性半导体MB组成,其中组分为x的磁性离子M无规则地占据A的子格点。由于这类材料中存在顺磁离子,具有彼强的局域自旋磁矩,与局域顺磁离子相联系的3d“电子和类s(导带)、类P(价带)能带电子之间的自旋与自旋相互作用结果,产生一种新的交换作用,称为sP一d交换作用,使半磁半导体具有与普通半导体截然不同的性质。自1978年国际上首次报道以来的近中,这方面工作已有很大的进展。结构与组分典型的半磁半导体材料体系是A扩一二Mnx砂型合金,其中M扩离子无规地取代化合物A,理中部分11族的子格点。如宽能隙的Cd卜二Mn二Te(S,Se)、Znl一xMnxTe(S,Se)和窄能隙的Hg;一,Mn二Te(S,Se)等。稳定单相的Cd卜xMnxTe具有闪锌矿结构,组分x值可高达0.77;Cdl一xMnxS为纤锌矿结构,组分x上限为0.45;Znl一xMnxse则在x(0.30为闪锌矿结构,而在0.30正比于宏观体磁化强度M的平均场理论来描述改变了的载流子行为。有效g因子通过磁化强度M反映其与温度、组分和磁场的依赖关系。增强磁场和降低温度均能使交换作用贡献增强。窄能隙Hgl一二MnxTe在低温下甚至发生价带、导带朗道子能级的重叠并使朗道子能级次序发生变化。对Cdl一二Mn二Se:x二O时有效g因子g才=0.5,而x=0.1时,g*=170。有效g因子增强了两个量级。②反常大的磁光效应。磁离子对外磁场有很大的响应,如同外磁场的“放大器”,其振幅比普通半导体中磁光效应强102一103倍。最为突出的是宽能隙Cd卜xMn二Te(S,Se)在外磁场下的激子带发生巨大的塞曼分裂,从而导致带间范围显示很强的激子巨法拉第效应,较CdTe的法拉第旋转角大103倍。同时测量法拉第效应、磁反射谱和磁化强度,可精确地确定不同材料中表征交换作用贡献的交换积分常数。在n一Cdoo5Mnoo5Se中发现反常大的自旋反转拉曼散射斯托克斯位移,较Cdse的大两个数量级。同时还观察到与束缚磁极化子的形成有关的零场下斯托克斯移位。此外在A卜二Mn、砂系列Pbl_xMnxTe中还观察到与自由磁极化子形成有关的零场下自旋分裂。③SdH量子振荡的振幅与温度非单调反常依赖关系。n一Hg卜xMn,Te(Se)的振荡的振幅中包含与有效g因子有关的余弦因子,有效g因子随温度而变化。

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