高亮度发光二极管,HB-LED
1)HB-LED高亮度发光二极管
1.Application of High Brightness Light Emitting Diodes (HB-LED) in Architectural Field;高亮度发光二极管(HB-LED)在建筑领域的应用
2.AlGalnP high brightness light emitting diode (HB-LED) is a new kind of semiconductor light source which came out in the 1990 s with superiority in small volume,high brightness,long life and high efficiency.AlGaInP高亮度发光二极管是20世纪90年代出现的一种体积小、效率高、寿命长的新型半导体固体光源。
英文短句/例句
1.Research on Packaging of White High-Brightness LEDs;白光高亮度发光二极管（HB-LED）封装研究
2.Characteristics Analysis of GaAs Based High Power Semiconductor Laser and High Brightness LED;GaAs基大功率半导体激光器和高亮度发光二极管特性分析
3.The display medium, 2.2 meters in diameter and 1.9 meters in height, is equipped with thousands of sets of state-of-the-art high-intensity light emitting diodes.这种显示媒体直径２.２米，高１.９米，配有国际先进的数千组高亮度发光二极管。
4.Superbright InGaN single-quantum-well blue LED超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管
5.The lamp-house is lighting diode of importing superior quatity, the energy sources economizing, longevity, environmental protection, color and luster is fresh.光源采用进口超高亮度优质发光二极管，节能、寿、保、泽鲜艳。
6.The reason for higher internal efficiency but lower brightness is its poor external efficiency.发光二极管内量子效率高而亮度不高的原因是外量子效率低。
7.LEDs have standard led, super bright led, ultra bright led, tricolor led, SMD led and so on.发光二极管有标准主导，超级光亮主导，超高亮度主导，主导色，索特主导等。
8.Research on High Brightness All-solid-state Diode Pumped Solid-state Laser;高亮度全固态二极管泵浦固体激光技术研究
9.Influence of γ-ray Irradiation on Deep Level and Brightness of Gap LEDs;γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响
10.half-intensity beam angle发光二极管的半强度角
11.High power led is a kind of high intensity led.高功率发光二极管是一种高强度的主导。
12.diode other than photosensitive or light emitting diodes二极管,光敏二极管或发光二极管除外
13.normal luminous intensity of LED发光二极管的法向发光强度
14.Low Turn-on Voltage Organic Light-emitting-diodes with a Hole-injecting Layer of VO_xVO_x作空穴注入层的低启亮电压有机发光二极管
15.Surface Texture Red Light-emitting Diodes with High Extracting Efficiency高提取效率表面织构红光发光二极管
16.Improved performance of white polymer light emitting diodes修饰阴极界面提高聚合物白光二极管发光效率
17.multi-emitter laser diode多发射极激光二极管
18.A semiconductor diode that converts applied voltage to light and is used in digital displays, as of a calculator.发光二极管一种半导体二极管，可将实用电压转变成亮光，用于数字显示，如计算器
相关短句/例句
UHB-LED超高亮度发光二极管
1.Dicing Saw and Scriber Technology forUHB-LED Chip Process;超高亮度发光二极管芯片切割技术
3)HB LED高亮发光二极管
4)brightness light-emitting diode亮度发光二极管
5)high brightness and high purity LED高亮度高纯度发光二极管
6)Ultrahigh Brightness LED超高亮发光二极管
延伸阅读
半导体发光二极管在正向偏置下，半导体PN结或与其类似的结构能够发出可见光或近红外光，这种把电能直接转换为光能的器件称为发光二极管，简称LED。发光是物体内部以某种方式储存的能量转化为光辐射的过程。发光物体的光辐射是材料中受激发的电子跃迁到基态时产生的。半导体（主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素构成的化合物半导体）发光二极管属于电流激发的电致发光器件。电致发光现象发现于19，当时并没有引起人们的注意。随着近代技术的发展，对发光器件提出了新的要求，希望发光管简单、可靠、寿命长、价格低、小型化。所以自60年代开始电致发光的研究非常活跃。发光机理原子、分子和某些半导体材料，能分别吸收和放出一定波长的光或电磁波。根据固体能带论，半导体中电子的能量状态分为价带和导带，当电子从一个带中能态E1跃迁(转移)到另一带中的能态E2时,就会发出或吸收一定频率(υ)的光。υ与能量差(墹E＝E2-E1)成正比，即υ＝墹E/h (Hz)此式称为玻尔条件。式中h＝6.626×10-34J·s。当发光二极管工作时，在正偏下，通常半导体的空导带被通过结向其中注入的电子所占据，这些电子与价带上的空穴复合，放射出光子，这就产生了光。发射的光子能量近似为特定半导体的导带与价带之间的带隙能量。这种自然发射过程叫作自发辐射复合（图1）。显然,辐射跃迁是复合发光的基础。注入电子的复合也可能是不发光的，即非辐射复合。在非辐射复合的情况下，导带电子失去的能量可以变成多个声子,使晶体发热,这种过程称为多声子跃迁；也可以和价带空穴复合,把能量交给导带中的另一个电子,使其处于高能态，再通过热平衡过程把多余的能量交给晶格，这种过程称为俄歇复合。随着电子浓度的提高，这种过程将变得更加重要。带间跃迁时，辐射复合和非辐射复合的两种过程相互竞争。有的发光材料表现为辐射复合占优势。LED的结构LED的结构依应用和材料掺杂情况而异。用于可见光指示和显示方面的LED,要求结构最佳化以获得高效率；用于光通信方面的LED,需要有高辐射度以把最大功率耦合入纤维，还希望有较大的调制能力。用作指示灯和显示器的LED的基本结构见图2。光通信用 LED的发射波长必须在光纤呈现低损耗的窗口区。0.8～0.9微米的GaAlAs-GaAs发光管和1.3～1.6微米的InGaAsP-InP发光管,波长分别落在石英纤维的第一和第二个透明窗口。为了与纤维耦合,光可以从LED的一面或一边提取。对LED的要求①提高内量子效率,要求尽量减少晶体缺陷和有害杂质；②提高外量子效率，结构要便于光收集、提取和发射；③可以用携载信息的输出电流直接对光输出进行高速率的调制；④结构要有利于散热，减少因结温上升引起光功率下降；⑤要有高的辐射度，因此必须应用直接带隙半导体和能够在高电流密度下驱动的结构。LED的特点在低压(低于2伏)、小电流（几十毫安至200毫安）下工作,功耗小、体积小、可直接与固体电路连接使用；稳定、可靠、寿命长(105～106小时)；调制方便，通过调制LED的电流来调制光输出;光输出响应速度比较快（1～100兆赫）；价格便宜。应用LED可用作指示灯、文字-数字显示、光耦合器件、光通信系统光源等。指示灯 用作指示灯的LED有两种结构:径向引线结构和轴向引线结构。前者尺寸小、价格低，适宜安装在印刷电路板上；后者既可安装在仪器面板上，又可直接安装在印制线路板上。专为印制线路板设计的最小的LED指示灯，可与晶体管和集成电路兼容，用来指示电路状态和故障。LED可作为电视频道调谐指示器,还可用于高保真度收音机和录音机以及汽车、飞机和机电工业。大多数指示灯是单管芯，新发展的还有双色灯和多色灯。文字－数字显示 LED用作袖珍计算器。数字手表和电子仪表的数字显示，一般为七段显示。但对台式计算器,更灵活的显示方式（产生全文字-数字）是35点矩阵，其中LED装成7×5阵列。35点矩阵价格较高、驱动电路复杂，其应用不及七段显示器件广泛。光耦合器件 GaAs（或GaAsP）LED和Si－PN结探测器相结合，可以制成许多新型器件，进行光-电和电-光的传递，通常称为光耦合器件。熟知的是光耦合隔离器，它高速、可靠并可提供高至2.5千伏的电隔离。GaAsLED与Si晶体管相结合制成穿孔卡片或磁带的光电子读数头，比钨丝灯径向分布可靠、稳定、抗震和功耗小。采用光耦合器件的汽车点火装置，省油、易起动、工作平稳。GaAlAs负阻发光二极管可用作发光开关、可控发光整流器和光波长转换等。光通信系统的光源 通信、信息处理和光耦合等应用要求 LED有良好的方向性。适于光通信应用的两种主要光源是高辐射度LED和半导体注入激光器。LED稳定、可靠、寿命长、驱动电路简单、功率对温度不敏感，广泛用作中、短距离（铁路、电力、交通、公安等）光通信系统的光源。GaAlAs－GaAs面发光管的带宽为10～20兆赫，适用于二次群光通信系统(可传输120路电话),传输距离大于5公里。GaAlAs-GaAs快速边发光管带宽50～100兆赫，适用于三级群光通信系统(可传输480路电话)，传输距离数公里。InGaAsP-InP LED可用于更长距离(大于10公里)的传输系统。此外，LED还用于信息处理、图像传输、测距和传感等方面。
