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mos管的rc吸收电路计算_正激式RC吸收电路计算

时间:2018-09-17 18:16:35

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mos管的rc吸收电路计算_正激式RC吸收电路计算

文中给出了一种结构简单、安装

电路

摘要:中缓冲

开关电源

性能的好坏直接影响到系统的品质。的漏感和尖峰而

且还能降低

变压器

该方法不仅能降低

开关管

的关断损耗,方便的

RC

缓冲电路的设计方法,

电压。

0

引言

拓扑中,开关管关断时,电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要

开关电源

在带变压器的和杂散电容,在

功率开关管关断时,电路中也会出现过电压并且产

电感

部分,同时,由于电路中存在杂散生振荡。如果尖峰电压过高,

就会损坏开关管。同时,振荡的存在也会使输出纹波增大。为了降低关断损耗和尖峰电压,需要在开关管两端并联缓冲

电路以改善电路的性能。

缓冲电路的主要作用有:

一是减少导通或关断损耗;

二是降低电压或电流尖峰;

三是降低

dV

dt

dI

dt

由于

MOS

FET

管的电流下降速度很快,所以它的关断损耗很小。虽然

MOSFET

管依然使用关断缓冲电路,但它的作用不是减少关断损

耗,而是降低变压器漏感尖峰电压。本文主要针对

MOSFET

的关断缓冲电路来进行讨论。

1RC

缓冲电路设计

在设计

RC

缓冲电路时,必须熟悉主电路所采用的拓扑结构情况。图

1

所示是由

RC

组成的正激

变换器

的缓冲电路。图

中,当

Q

关断时,集电极电压开始上升到

2Vdc

,而电容

C

限制了集电极电压的上升速度,同时减小了上升电压和下降电

流的重叠,从而减低了开关管

Q

的损耗。而在下次开关关断之前,

C

必须将已经充满的电压

2Vdc

放完,放电路径为

C

Q

R

假设开关管没带缓冲电路,图

1

所示的正激变换器的复位绕组和初级绕组匝数相同。这样,当

Q

关断瞬间,储存在励

磁电感和漏感中的能量释放,初级绕组两端电压极性反向,正激变换器的开关管集电极电。

Vdc

两端电压下降到

Q

此时

最后减小到零,流向复位绕组,

D

二极管

励磁电流经同时,

2Vdc

压迅速上升到.

2

所示是开关管集电极电流和电压波形。可见,开关管不带缓冲电路时,在

Q

关断时,其两端的漏感电压尖峰很大,

产生的关断损耗也很大,严重时很可能会烧坏开关管,因此,必须给开关管加上缓冲电路。

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