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RK3326 RK3399 GPIO寄存器操作指南
参考资料基本环境
RK3326 小板
８pin引出接口中的GPIO0_B3(实际为GPIO1_C2)
RK3326 EVB开发板
RK3399 EVB开发板
Linux与Android系统都适用FAE给的操作步骤IOMUX复用为GPIO
GPIO设置为输出
设置GPIO高低
补充，事实上还漏了一个重要一部，要先设置时钟，否则前面的设置都不生效RK3326寄存器手册查询
参考寄存器手册Address Maping部分
GRF基地址为0xFF140000
GPIO1基地址为0xFF250000
DDR(方向寄存器)偏移地址0x04, 所以寄存器地址为0xFF250004
DR(设置高低电平)偏移地址为0x00, 所以寄存器地址为0xFF250000
GRF_GPIO1C_IOMUX_L 偏移地址为0x10, 所以IOMUX地址为0xFF140010
GPIO1_C2对应的位为bit19RK3326 GPIO1_C2 设置实验
读取GPIO1_C2的值(DR)
io -4 -l 4 0xFF250000
输出
ff250000: 00000000
bit19 为0， 测得电压为0.26V
写入bit19 为 1
io -4 -w 0xff250000 0x00040000
回读正常，测得电压为3V
方向寄存器
io -4 -l 4 0xFF2500004
输出
ff250004: 00040000
IOMUX寄存器
io -4 -l 4 0xFF140010
输出
ff140010: 00000011
根据寄存器手册P104可知， bit11:8为0， gpio1_c2为gpio功能RK3326 WAKE_UP设置实验(对应GPIO1_C3, 对应bit20)
有前面可知，IOMUX已经设置为GPIO
设置方向寄存器(DR)为输出
io -4 -w 0xff250004 0x000C0000
设置为高电平
io -4 -w 0xff250000 0x000C0000
回读
io -4 -l 4 0xFF250000
返回：
ff250000: 000c0000
万用表测得为3V, 同理，设置为低电平，万用表测得为0.027V，实验成功！RK3326 MAV022 GPIO驱动分析
内核文件节点
/sys/class/leds/call_answer_led/brightness
echo 255 > /sys/class/leds/call_answer_led/brightness (高电平)
echo 0 > /sys/class/leds/call_answer_led/brightness(低电平)
原先的驱动设计是具有pwm功能的，这里我借用了这个接口，没有pwm功能，只有高低电平
DTS中的位置
rk3326-mav022-v10.dts
关键字
搜索RK_PC2或者gpio-leds
驱动不用修改，只需要修改DTS中两处即可，移植到开发板GPIO3_C2也可行RK3326 EVB GPIO寄存器控制
选定开发板D12-GPIO3-C0作为控制脚，对应的bit = (C-A)*8 + 0 = 16
对应位设为1， 0x00010000, 设为0， 0x00000000
设置DDR方向寄存器
io -4 -w 0xFF270004 0x00050000
设置输出为低电平
io -4 -w 0xFF270000 0x00000000
LED灯亮
设置输出为高电平
io -4 -w 0xFF270000 0x00010000
LED灯灭
这一步一开始实验一直控制无效，后来参考文档《Rockchip GPIO常见问题.pdf》，发现是CLK没有设置造成的，前面的实验之所以成功，应该是在DTS里配置了相应的管脚，CLK在驱动里已经打开，而DTS没有配置的管脚，CLK默认是关闭的
查询clk
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary |grep gpio
GPIO3果然为0
使能GPIO3 ClK
echo 1 > /sys/kernel/debug/clk/pclk_gpio3/clk_enable_countRK3399 EVB GPIO2_B2, GPIO2_B3测试
首先根据RK3326经验查询CLK
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary |grep gpio
gpio2为0， 写入1
echo 1 > /sys/kernel/debug/clk/pclk_gpio2/clk_enable_count
GPIO2_B2 bit位为(B-A)8 + 2 = 10
GPIO3_B3 bit位为(B-A)8 + 3 = 11
测试DDR寄存器
io -4 -r 0xff780004
返回
807f1
读取DR寄存器
io -4 -r 0xff780004
返回
0x3f0
开始GPIO控制
测试GPIO2_B2
写入GPIO2_B2位低电平
io -4 -w 0xff780000 0x7f0
红灯亮，设置生效
测试GPIO2_B3
写入GPIO2_B3为输出
io -4 -w 0xff780004 0x80ff1
GPIO2_B3输出为低
io -4 -w 0xff780000 0xff0
发现不生效，查询IOMUX寄存器
io -4 -r 0xff77e004
返回
0x00c0
查询寄存器文档可知bit7:6为11， gpio2_b3没有设为gpio
设置iomux为gpio
io -4 -w 0xff7e004 0x0000
设置无效，可能是被驱动限制了
测试GPIO2_B1
bit位为(B-A)*8 + 1 = 9
由前面可知，DDR应该已经是输出
直接设置DR
io -4 -w 0xff780000 0x5f0
设置成功，黄灯亮!另外一种用GPIO Debug接口控制的方法
原作者是在Android6.0下实验的，经测试Android8.1下一样可以使用
以GPIO2_B2为例查看GPIO2_B2的gpio number1. rk3399:/sys/kernel/debug # cat gpio GPIOs 0-31, platform/pinctrl, gpio0: gpio-1 (|vcc_sd ) out lo GPIOs 0-31, platform/pinctrl, gpio0:
gpio-1 (|vcc_sd ) out lo
gpio-4 (|bt_default_wake_host) inlo
gpio-5 (|power) inhi
gpio-9 (|bt_default_reset ) out lo
gpio-10(|reset) out hi
GPIOs 32-63, platform/pinctrl, gpio1:
gpio-34(|int-n) inhi
gpio-35(|camsys_gpio ) out hi
gpio-45(|enable ) out hi
gpio-46(|vsel) out lo
gpio-49(|vsel) out lo
gpio-54(|mpu6500) inlo
GPIOs 64-95, platform/pinctrl, gpio2:
gpio-64(|vbus-5v) out lo
gpio-69(|power33) out hi
gpio-70(|power) out hi
gpio-71(|reset) out hi
gpio-72(|stanby ) out hi
gpio-73(|power18) out hi
gpio-74(|sysfs) out lo
gpio-76(|int) inhi
gpio-83(|bt_default_rts ) inhi
gpio-90(|bt_default_wake ) inlo
可知GPIO2_B2的number 为GPIO74导出为GPIO
rk3399:/sys/class/gpio # echo 74 >export
1|rk3399:/sys/class/gpio # ls
export gpiochip0 gpiochip32 gpiochip96
gpio74 gpiochip128 gpiochip64 unexport
rk3399:/sys/class/gpio #
设置输出高低电平
rk3399:/sys/class/gpio/gpio74 # lsactive_low device direction edge power subsystem uevent valuerk3399:/sys/class/gpio/gpio74 # echo 1 > valuerk3399:/sys/class/gpio/gpio74 # echo 0 > valuerk3399:/sys/class/gpio/gpio74 #
但同样的方法GPIO73不能导出，看来这种方法还是有些局限
这个开发板可以了解
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