成果一
基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台,我司技术团队深入探索了实现GaN VCSEL横向电流限制的根本原因。研究发现,横向电流限制不是由埋入式绝缘体的电阻特性引起的,而潜在的原因在于埋层绝缘体可承担电压,因此会引起孔内和孔外之间的电势差,进而会产生横向能带势垒。为了减小横向势垒高度,技术团队建议使用具有介电常数较大、绝缘体厚度较薄的限制孔,以增加横向电流的限制作用。他们发现增加电流的横向限制效应有助于减小载流子微分寿命,从而可提高3dB带宽。这项研究成果丰富了研究人员对III族氮化物VCSEL器件物理的理解,为高性能 GaN VCSEL的设计和开发提供了重要的指导建议。
(Opt. Express DOI:
10.1364/OE.385787)
成果二
基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台,我司技术团队开发出了Mesa型肖特基二极管(TMBS)模型,并对TMBS肖特基二极管的器件物理和设计方案进行了深入探索。TMBS肖特基二极管可在一定程度上增强器件的二维电场耦合,从而降低表面电场,减小漏电流,但由于器件为mesa结构,电势线存在着较大曲率,因此mesa边缘处局部电场过强,将会导致器件提前击穿,因此技术人员进一步对TMBS器件做了深入系统的研究,探索了各个关键结构参数对器件性能的影响,总结出了器件关键指标与关键结构参数之间的物理关系,凝练了器件的优化设计规则;该研究成果对于改善TMBS器件结构和提高器件性能具有重要的指导意义。
(IEEE Trans. Electron. Dev. DOI:
10.1109/TED..2978007)