收稿日期
:2002
-
04
-
12
作者简介
:
陈
强
(
1976
—
)
,
男
,
硕士研究生
1
三相桥式全控整流及单相交流调压
实验装置的研制
陈
强
,
杨
旭
,
王兆安
(
西安交通大学电气工程学院
,
西安
710049
)
摘
要
:
本文结合具体的三相全控整流电路的研制
,
介绍了以国产集成芯片
K
J004
和
K
J041
为中心的触发电路的工作过程及主电路的工作过程
,
并介绍了如何只对三相全控整流电路的
主电路稍加改造
,
即可使之成为单相交流调压电路
,
实现了在一套实验装置下做两套实验
。
关键词
:
整流电路
;
调压电路
;
晶闸管
中图分类号
:
G
484
文献标识码
:B
文章编号
:1002
-
4956
(
2002
)
06
-
0035
-
05
1
引言
本文是以西安交通大学电气学院工业自动化教研室研制的实验装置为背景
,
该实验
装置是为配合王兆安老师主编的
《电力电子技术》
一书所附的教学实验而开发的
。
本文介
绍了晶闸管整流电路和单相调压电路的工作过程
。
1947
年美国著名的贝尔实验室发明了晶体管
,
引发了电子技术的一场革命
,
从此
,
以
硅二极管为代表的电力电子器件开始应用于电力领域
。
1957
年美国通用电气公司研制
出了第一只晶闸管
,
晶闸管出现后
,
由于其优越的电气性能和控制性能
,
使其很快取代了
水银整流器和旋转变流机组
,
随之其应用范围迅速扩大
。
70
年代后
,
门极可关断晶闸管
(
GTO
)
、
电力双极性晶体管
(
BJ
T
)
和电力场效应晶体管
(
Power
2
MOSFET
)
等全控型器
件迅速发展
。
80
年代后期
,
以绝缘栅双极型晶体管
(
IG
B
T
)
为代表的复合型器件异军突
起
,IG
B
T
是
BJ
T
和
MOSFET
的复合
。
它把
MOSFET
的驱动功率小
、
开关速度快的优点
和
BJ
T
的通态压降低
、
载流能力大的优点集于一身
,
性能十分突出
,
从而成为现代电力电
子技术的主导器件
。
与
IG
B
T
相对应
,MOS
控制晶闸管
(
MCT
)
和集成门极换流晶闸管
(
IGCT
)
都是
MOSFET
和
GTO
的复合
,
它们也结合了
MOSFET
和
GTO
的优点
。
但目前
在大功率电力电子装置中
,
由于电压和电流等级限制了
IG
B
T
和
MOSFET
的应用
,
因而
晶闸管和
GTO
还占据着十分重要的地位
。晶闸管是一种基本电力电子器件
,
学生通过
亲自实践
,
对掌握它的电气特性
,
和基本电力电子电路的工作原理都大有益处
。
2
三相桥式全控整流电路基本原理
目前在各种整流电路中应用最为广泛的是三相桥式整流电路
。
如图
1
所示
:
5
3
中国科技论文
统计源期刊
实
验
技
术
与
管
理
Vol.
19
No.
6
2002
